SLM27511器件是单通道高(gāo)速低(dī)边门极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SLM27511采用一种能够从(cóng)内部(bù)极大的降低直(zhí)通电(diàn)流的设计,将(jiāng)高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负(fù)载,以实(shí)现(xiàn)轨到(dào)轨的驱(qū)动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播(bō)延迟。
SLM27511在12V的VDD供电情况下(xià),能够(gòu)提供4A的峰值(zhí)源(yuán)电流和5A的峰值灌(guàn)电(diàn)流。
低成本的门极驱动方案(àn)可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方(fāng)案
4A 的峰值(zhí)源(yuán)电(diàn)流和5A的(de)峰值灌电流能力
快速(sù)的传输(shū)延时(典(diǎn)型(xíng)值(zhí)为 18ns)
快(kuài)速(sù)的上升和下(xià)降时间(典(diǎn)型值为 7ns/5ns)
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻(luó)辑电压(yā)阈(yù)值(zhí)
双输入设计(可选择反相或(huò)非(fēi)反相(xiàng)驱动配置)
输入浮(fú)空时输出保持为低
工作(zuò)温度(dù)范围(wéi)为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选项
400 080 9938